IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE013N04LM6SCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE008N03LM5SCATMA1 توسط Infineon و IQE013N04LM6SCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQE013N04LM6SCATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS Source-Down MOSFET | Infineon
IQE013N04LM6SCATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE013N04LM6SCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| بسته‌بندی | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-WHSON-8-1 (3.3 mm × 3.3 mm Source-Down PQFN) with exposed pad |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: T_J min/max] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | — | ±20 V |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 1.35 mΩ |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | — | [DATA_NEEDED: I_D at T_C] (per distributor listing 205 A pulsed) |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | — | 205 A |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>A</sub>=25 °C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25 °C | — | 107 W |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 41 nC |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) @ V<sub>DS</sub>=20 V | — | 3800 pF |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Part Family | — | OptiMOS Source-Down, 40 V, 3.3×3.3 PQFN |