IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE036N08NM6CGATMA1 توسط Infineon و IQD020N10NM5CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |