IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQEH68NE2LM7UCGATMA1 توسط Infineon و IQD020N10NM5CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| وضعیت RoHS | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |