IRF1310NSTRLPBF vs IRF3205STRLPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRF1310NSTRLPBF توسط Infineon و IRF3205STRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRF1310NSTRLPBF | IRF3205STRLPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 97.3 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| بسته‌بندی | D2PAK (TO-263AB) | TO-263-3 (D2PAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (advanced process) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 110 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 390 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 8 mΩ max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 200 W |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (STRL) |