IRF1407PBF vs IRFB4310PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF1407PBF توسط Infineon و IRFB4310PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF1407PBF IRFB4310PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 5.6 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Total Gate Charge (Qg) — 170 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Rated — Yes
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free PBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت