IRF7105TRPBF vs IRF7306TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7105TRPBF توسط Infineon و IRF7306TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7105TRPBF IRF7306TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range] -55°C to +150°C (junction)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
تعداد پایه 8 —
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
Packaging — Tape & Reel (TR)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت