IRF7832TRPBF vs BSC094N06LS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7832TRPBF توسط Infineon و BSC094N06LS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7832TRPBF BSC094N06LS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7832TRPBF BSC094N06LS5ATMA1
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) OptiMOS™ 5 (logic-level)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (TJ) —
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +150 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت