IRFR1018ETRPBF vs IRFR5410TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR1018ETRPBF توسط Infineon و IRFR5410TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR1018ETRPBF IRFR5410TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C -55 °C to +150 °C (TJ)
بسته‌بندی TO-252AA (D-Pak) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (advanced process, Gen 5)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت