IRFR2405TRLPBF vs IRFR220NTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR2405TRLPBF توسط Infineon و IRFR220NTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR2405TRLPBF IRFR220NTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (junction) -55C to +150C (junction)
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF)
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 5 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.800 ohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — Low (per datasheet - HEXFET design)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 43 W
سطح MSL — 1
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Technology Family — HEXFET, Planar, Generation 3

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت