IRFR5305TRLPBF vs IRF5305STRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5305TRLPBF توسط Infineon و IRF5305STRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR5305TRLPBF IRF5305STRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-263 / D2PAK (surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes (Pb-free suffix PBF)
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
Packaging — Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت