ISZ028N03LF2SATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ028N03LF2SATMA1 توسط Infineon و BSC019N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ028N03LF2SATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت