ISZ028N03LF2SATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ028N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו BSC019N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ028N03LF2SATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
מארז PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Avalanche Rated — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר