K3LK8K80CM-MFCP vs K3LKCKC0BM-MGCP مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K3LK8K80CM-MFCP توسط Samsung Electronics و K3LKCKC0BM-MGCP توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K3LK8K80CM-MFCP | K3LKCKC0BM-MGCP |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | — |
| سازمان | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | — |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| رابط | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | Parallel |
| بستهبندی | 315-ball FBGA (MFCP) | FBGA-315 (PBGA315) |
| Ball Count | 315 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40 C to +105 C (automotive-grade) | -25 C to +85 C |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| وضعیت RoHS | unknown | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 64 Gbit |
| Memory Organization | — | 2G x32 |
| نرخ داده | — | 6400 Mbps |
| Technology | — | CMOS |
| Supply Voltages | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: access time] |
| Power Consumption - Active | — | [DATA_NEEDED: active power] |
| Power Consumption - Standby | — | [DATA_NEEDED: standby power] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |