K4B4G1646D-BYK00 vs MT41K256M16HA-15EM:E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BYK00 توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-15EM:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعالMicron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BYK00 | MT41K256M16HA-15EM:E |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1333 Mbps (DDR3L-1333) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35 V (1.5V compatible) |
| بسته‌بندی | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (9x14mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| تأخیر CAS | Programmable | 15 |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| رابط | — | Parallel |