K4RBH086VB-BCQK vs K4RAH086VE-BCWM مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RBH086VB-BCQK توسط Samsung Electronics و K4RAH086VE-BCWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RBH086VB-BCQK | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $7.60 |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| سازمان | 2G x 8 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| رابط | DDR5 (CA bus, ODECC) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| بسته‌بندی | FBGA-82 | 82-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] | — |
| Power Supply Rails | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] | — |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| وضعیت چرخه عمر | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |