K4RHE165VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CLP مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RHE165VB-BCWM توسط Samsung Electronics و K4RCH046VM-2CLP توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RHE165VB-BCWM | K4RCH046VM-2CLP |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 32 Gb |
| سازمان | 1G x 16 | 4G x 4 |
| نرخ داده | 5600 Mbps | 6400 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | 1.1 V |
| بسته‌بندی | 106 FBGA | 78-FBGA |
| دمای کاری | 0 C to +85 C | 0C to 85C |
| Product Status | Mass Production | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel, DDR5 | DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) |
| Generation | DDR5 | — |
| Application Segment | DDR5 memory modules and HPC systems | — |
| Speed Grade Suffix | BCWM | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| tCK (Clock Period) | [DATA_NEEDED: clock period] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Configuration | — | x4 component |
| Family Speed Range (Samsung DDR5) | — | up to 7200 Mbps |
| Family Density Range (Samsung DDR5) | — | 16 Gb to 32 Gb |
| Power Efficiency vs DDR4 | — | Approx. 30% greater |
| Product Status (per distributor listing) | — | Sample / Active supply via distribution |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |