K9HCG08U1M vs K9XXG08U0M مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K9HCG08U1M توسط Samsung Electronics و K9XXG08U0M توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K9HCG08U1M | K9XXG08U0M |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | Obsolete |
| Memory Technology | MLC NAND Flash | — |
| Total Capacity | 64 Gbit | — |
| سازمان | 8G x 8 | 1G x 8 bit |
| عرض گذرگاه داده | 8 bit | — |
| نوع رابط | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) | — |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: supply voltage] | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: read time] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: program time] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| بسته‌بندی | TSOP-48 (PDSO48) | 48-pin TSOP-I |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40C to +105C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B#) | — |
| Die Technology | Samsung E-die (per datasheet family) | — |
| Full Ordering Code | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 | — |
| نوع حافظه | — | NAND Flash |
| Density | — | 8 G-bit |
| Spare Area | — | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) |
| رابط | — | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) |
| Page Read Time | — | 20 us |
| Access Interface Standard | — | Samsung legacy NAND command set |
| Bad Block Management | — | Factory bad block marking (host-managed ECC required) |
| Cell Type | — | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) |
| ECC Requirement | — | External ECC by host controller |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |