MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16LY-075:E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16JY-075E توسط Micron Technology و MT40A512M16LY-075:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16JY-075E MT40A512M16LY-075:E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
سازمان 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz 1.33 GHz
نرخ داده 2666 MT/s 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
رابط Parallel Parallel
بسته‌بندی 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13.5mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
وضعیت RoHS Compliant —
ویژگی‌ها Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
تأخیر CAS — 19
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت