MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16LY-075:E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16JY-075E توسط Micron Technology و MT40A512M16LY-075:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M16JY-075E | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.33 GHz |
| نرخ داده | 2666 MT/s | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| بستهبندی | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| ویژگیها | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| تأخیر CAS | — | 19 |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| RoHS | — | Compliant |