MT41K256M16HA-15EM:E vs K4B4G1646D-BYK00 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16HA-15EM:E توسط Micron Technology و K4B4G1646D-BYK00 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ فعالSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16HA-15EM:E | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.5V compatible) | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| نرخ داده | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1600 Mbps |
| تأخیر CAS | 15 | Programmable |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball TFBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| رابط | Parallel | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |