1EBN1001AEXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EBN1001AEXUMA1 par Infineon et 1ED3142MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EBN1001AEXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,41 $1,32
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) Inverting, Non-Inverting
Nombre de sorties 2 (separate source and sink paths) 2 (separate source/sink)
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
Boîtier PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 °C to +125 °C (automotive grade) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Fiches techniques et ressources

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