1EBN1001AEXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EBN1001AEXUMA1 por Infineon e 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EBN1001AEXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,41 $1,32
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) Inverting, Non-Inverting
Número de saídas 2 (separate source and sink paths) 2 (separate source/sink)
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
Encapsulamento PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40 °C to +125 °C (automotive grade) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Fichas técnicas e recursos

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