1ED44175N01BXTSA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED44175N01BXTSA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
1ED44175N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side IGBT Gate Driver | Infineon
1ED44175N01BXTSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED44175N01BXTSA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,54 | $1,45 |
| Fonction | Low-side gate driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Gate Type | IGBT, MOSFET (single-channel) | — |
| Configuration | Non-inverting | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Output Current (Source/Sink) | 2.6 A typical | — |
| Supply Voltage Range | Up to 25 V | — |
| Logic Input Compatibility | CMOS, LSTTL | — |
| Over-Current Protection (OCP) | Integrated (OCP pin) | — |
| FAULT Output | Yes (status reporting) | — |
| Broche d'activation | Yes | — |
| Rise/Fall Time | [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Boîtier | PG-SOT23-6-3 (6-lead) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS (latch-up immune) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Nombre de sorties | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Temps de montée | — | 15 ns |
| Temps de descente | — | 30 ns |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |