1EDI20I12MFXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDI20I12MFXUMA1 par Infineon et 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDI20I12MFXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,84 $1,45
Fonction Isolated single-channel high-side gate driver —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer) —
Number of Channels 1 —
Output Current (Source/Sink) 2 A peak —
Active Miller Clamp Current 2 A —
Maximum Operating Voltage (Switch side) 1200 V —
Propagation Delay (typ.) 300 ns —
Input Logic Inverting / Non-inverting —
Configuration de sortie Single high-side driver —
Minimum Creepage 4 mm —
Short Circuit Protection Yes (clamping) —
Boîtier PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage) PG-DSO-8 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Supply Voltage (Secondary) [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range] —
CMTI [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] —
UVLO Yes (secondary side) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Nombre de sorties — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Temps de montée — 15 ns
Temps de descente — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Fiches techniques et ressources

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