1EDI20I12MFXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDI20I12MFXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 1EDI20I12MFXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.84 $1.45
기능 Isolated single-channel high-side gate driver —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer) —
Number of Channels 1 —
Output Current (Source/Sink) 2 A peak —
Active Miller Clamp Current 2 A —
Maximum Operating Voltage (Switch side) 1200 V —
Propagation Delay (typ.) 300 ns —
Input Logic Inverting / Non-inverting —
출력 구성 Single high-side driver —
Minimum Creepage 4 mm —
Short Circuit Protection Yes (clamping) —
패키지 PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage) PG-DSO-8 (DSO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Supply Voltage (Secondary) [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range] —
CMTI [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] —
UVLO Yes (secondary side) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
출력 수 — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
상승 시간 — 15 ns
하강 시간 — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

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