1N5711 vs BAT46WH Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1N5711 par STMicroelectronics et BAT46WH par Nexperia. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1N5711 BAT46WH
Marque STMicroelectronics Nexperia
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,03
Diode Type Small-signal Schottky barrier (RF) diode —
Peak Reverse Voltage (VRRM) 70 V —
Continuous Forward Current (IF) 15 mA —
Power Dissipation 430 mW [DATA_NEEDED: total power dissipation Ptot]
Forward Voltage (VF) 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) 850 mV
Total Capacitance 2 pF —
Junction Capacitance (Cj) 1 pF —
Dynamic Resistance 35 ohm —
Breakdown Voltage (VB) 70 V —
Switching Speed Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) —
Junction Structure Metal-to-silicon junction with PN guard ring —
Boîtier DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass SOD-123F (flat lead) SMD
Type de montage Through-Hole Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Reverse Leakage Current [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] [DATA_NEEDED: reverse leakage current IR]
Statut RoHS Compliant Compliant
Diode Configuration — Single
Technology — Planar Schottky barrier with integrated guard ring
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 100 V
Forward Current (IF) — 250 mA
Non-Repetitive Peak Forward Current — 2.5 A
Maximum Operating Temperature — 155 C
Terminal Position — Dual
Terminal Form — Flat
Number of Terminals — 2
Package Shape — Rectangular
Typical Applications — High-speed switching, voltage clamping, line termination, reverse polarity protection
Junction Capacitance — [DATA_NEEDED: junction capacitance]

Fiches techniques et ressources

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