2ED21834S06JXUMA1 vs IR2011SPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon et IR2011SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2ED21834S06JXUMA1 | IR2011SPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,89 | $1,18 |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Configuration | Half-bridge (high-side + low-side) | High-Side and Low-Side, Inverting |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | 650 V | — |
| Typical Sink Current | 2.5 A | — |
| Typical Source Current | 2.5 A | — |
| Input Logic | Non-Inverting | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Technology | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| Boîtier | PG-DSO-14-49 (DSO-14) | 8-SOIC (DSO-8) |
| Nombre de broches | 14 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | -40 C to +125 C |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 | — |
| Nombre de sorties | — | 2 |
| Offset Voltage (High-Side, max) | — | 200 V |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) | — | 10 V to 20 V |
| Output Source/Sink Current | — | 1 A / 1 A (typ) |
| Propagation Delay (typ) | — | 80 ns |
| Rise / Fall Time (typ) | — | [DATA_NEEDED: rise/fall time] |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS / LSTTL, down to 3.0 V |
| dV/dt Immunity | — | Yes |
| Negative Transient Tolerance | — | Yes (on VS pin) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Tube / Reel Packaging | — | Tube (per Infineon PBF convention) |