2ED21834S06JXUMA1 vs IR2011SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2ED21834S06JXUMA1 от Infineon и IR2011SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2ED21834S06JXUMA1 IR2011SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,89 $1,18
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High-Side and Low-Side, Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Корпус PG-DSO-14-49 (DSO-14) 8-SOIC (DSO-8)
Количество выводов 14 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
Статус RoHS Compliant —
Standard Reel Quantity 3000 —
Количество выходов — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (on VS pin)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену