2ED21844S06JXUMA1 vs 6EDL04N02PRXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21844S06JXUMA1 par Infineon et 6EDL04N02PRXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21844S06JXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $2,32
Driver Configuration Half-Bridge Half-bridge (3 high-side + 3 low-side)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Type Non-Inverting —
Blocking Voltage (Voffset) 650 V —
Output Current (Source/Sink) 2.5 A typical —
Bootstrap Diode Integrated Integrated (BSD) on all 3 high-side drivers
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] —
Propagation Delay (Typ.) 200 ns [DATA_NEEDED: matching value] —
Input Logic Compatibility TTL/CMOS 3.3 V and 5 V CMOS / LSTTL, 3.3 V and 5 V
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both HS and LS rails —
Shutdown Pin Yes —
Negative VS Transient Immunity -100 V typical —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Boîtier PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-TSSOP-28 (28-pin, 4.40 mm width, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm level])
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — 3-Phase Gate Driver IC
Maximum Blocking Voltage — +180 V (VS referenced to GND for high side)
Rated Supply Voltage (VCC) — 200 V class (operating range 10 V to 20 V on VCC)
Source Current (typ.) — 0.375 A
Sink Current (typ.) — 0.75 A
Over-Current Protection — Yes (single-shunt, ITRIP/CIN pin)
Enable Pin (EN) — Yes (active-high)
Fault Output (nFAULT) — Yes (active-low, open-drain)
Interlocking / Anti-shoot-through — Yes (built-in per phase pair)
Process Technology — Thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Maximum Junction Temperature — +150 °C
Target Switches — MOSFETs up to 180 V, IGBTs up to 180 V

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