2EDF9275FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2EDF9275FXUMA1 par Infineon et 1EDN7116GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2EDF9275FXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $0,84 |
| Driver Configuration | Half-Bridge (High Side + Low Side) | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | 2 | 1 |
| Nombre de sorties | 2 | — |
| Source Current | 4 A | — |
| Sink Current | 8 A | — |
| Propagation Delay (Typ.) | 37 ns | — |
| Channel-to-Channel Matching | [DATA_NEEDED: channel-to-channel matching] | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Isolation Type | Functional (Galvanic, Coreless Transformer) | — |
| Input Logic Compatibility | CMOS / TTL (Non-Inverting) | — |
| Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | -40 °C to +125 °C |
| Temps de montée | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Temps de descente | 4.5 ns | — |
| Style de montage | SMD/SMT | — |
| Boîtier | PG-DSO-16-11 (150-mil DSO-16) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Packaging | Cut Tape, MouseReel, Reel | — |
| Optimized For | CoolSiC™ MOSFETs (Wide-Bandgap) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | [DATA_NEEDED: REACH status] | — |
| Fonction | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Niveau MSL | — | MSL3 |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |