2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4BXTMA1 par Infineon et 2EDL8034G4CXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,49 $1,55
Topologie Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) —
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) Junction-isolated (level-shifted)
Input Logic Compatibility TTL 3.3 V / 5 V
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Boîtier PG-VDSON-8-5 PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Nombre de sorties — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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