2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL900G3XTMA1 par Infineon et 2EDL5023U2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL900G3XTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,20 $1,40
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 1 (Half-Bridge)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
Boîtier TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-TSNP-12-5
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
Nombre de sorties — 2
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
Température de fonctionnement — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis