2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL900G3XTMA1 por Infineon e 2EDL5023U2DXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL900G3XTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,20 $1,40
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 1 (Half-Bridge)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
Encapsulamento TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad PG-TSNP-12-5
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
Número de saídas — 2
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
Temperatura de operação — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação