2N7002H6327XTSA2 vs 2N7002-7-F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002H6327XTSA2 par Infineon et 2N7002-7-F par Diodes Incorporated. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002H6327XTSA2 2N7002-7-F
Marque Infineon Diodes Incorporated
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,08 $0,08
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: total gate charge typical]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range]
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement Enhancement
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 115 mA
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) — 105 mA to 210 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 370 mW
On-Resistance RDS(on) — 7.5 ohm to 13.5 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Terminal Finish — Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208)

Fiches techniques et ressources

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