2N7002H6327XTSA2 vs 2N7002-7-F Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon e 2N7002-7-F por Diodes Incorporated. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2N7002H6327XTSA2 2N7002-7-F
Marca Infineon Diodes Incorporated
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,08 $0,08
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: total gate charge typical]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range]
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement Enhancement
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 115 mA
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) — 105 mA to 210 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 370 mW
On-Resistance RDS(on) — 7.5 ohm to 13.5 ohm
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Terminal Finish — Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208)

Fichas técnicas e recursos

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