6EDL04N02PRXUMA1 vs 6EDL04N03PRXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 6EDL04N02PRXUMA1 par Infineon et 6EDL04N03PRXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N03PRXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,32 $1,85
Product Type 3-Phase Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-bridge (3 high-side + 3 low-side) —
Maximum Blocking Voltage +180 V (VS referenced to GND for high side) —
Rated Supply Voltage (VCC) 200 V class (operating range 10 V to 20 V on VCC) —
Source Current (typ.) 0.375 A —
Sink Current (typ.) 0.75 A —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) on all 3 high-side drivers Integrated (3 channels)
Over-Current Protection Yes (single-shunt, ITRIP/CIN pin) Yes (adjustable threshold via ITRIP)
Enable Pin (EN) Yes (active-high) —
Fault Output (nFAULT) Yes (active-low, open-drain) —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, 3.3 V and 5 V —
Interlocking / Anti-shoot-through Yes (built-in per phase pair) —
Process Technology Thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C —
Maximum Junction Temperature +150 °C —
Boîtier PG-TSSOP-28 (28-pin, 4.40 mm width, exposed pad) PG-TSSOP-25
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Target Switches MOSFETs up to 180 V, IGBTs up to 180 V —
Niveau MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm level]) 3
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Three-phase gate driver (6-channel half-bridge)
Number of Drivers — 6
Configuration de sortie — Non-inverting half-bridge
Supply Voltage (VDD) — 10 V to 25 V
Logic Supply Voltage (VSS) — 3.3 V / 5 V
Output Current (Source) — 0.24 A
Output Current (Sink) — 0.375 A
Temps de montée — 60 ns (typical at 1 nF load)
Temps de descente — 26 ns (typical at 1 nF load)
Fault Output — Yes (open-drain)
Broche d'activation — Yes (EN, active-high)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Blocking Voltage — 200 V / 600 V family

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