AIKB40N65DH5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AIKB40N65DH5ATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | AIKB40N65DH5ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | IGBTs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,84 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | AIKB40N65DH5ATMA1 | — |
| Technology | TRENCHSTOP 5 (Trench + Field-Stop) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Type de transistor | IGBT NPT (Non-Punch-Through) | — |
| Collector-Emitter Voltage (VCES) | 650 V | — |
| Continuous Collector Current (IC) at TC=100C | 40 A | — |
| Pulsed Collector Current (ICM) | 74 A | — |
| Gate-Emitter Voltage (VGES) | +/-20 V | — |
| VCE(sat) at IC=40 A, VGE=15 V, Tj=25C | [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical value] | — |
| Co-packaged Diode | RAPID 1 fast and soft antiparallel diode | — |
| Boîtier | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +175C (junction) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified (TRENCHSTOP 5 AUTO) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Typical Applications | EV chargers, DC/AC converters, photovoltaic inverters, motor drives, induction cooking | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |