BD249C-S vs BD249C Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BD249C-S par Bourns et BD249C par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BD249C-S BD249C
Marque Bourns onsemi
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,10 $1,82
Type de transistor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) Single Bipolar (BJT)
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 100 V 100 V
Collector-Base Voltage (VCB) 100 V —
Emitter-Base Voltage (VEB) 5 V —
Collector Current (Continuous) 25 A —
Collector Current (Peak) 40 A —
Total Power Dissipation (TC = 25 C) 125 W —
Power Derating 1.0 W/C above 25 C case temperature —
Fréquence de transition (ft) 3 MHz 3 MHz
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range and test conditions] [DATA_NEEDED: hFE range]
Boîtier SOT-93 (TO-218), 3 pins, through hole SOT-93 (through hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Nombre de broches 3 —
Series Grade BD249C (C grade, highest VCEO in BD249 series) —
Complementary Device BD250 series (PNP) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: storage/operating junction temperature range] —
ESD Rating (HBM) Class 3B, > 8000 V (per onsemi BD249C family data) —
Flammability Rating UL 94 V-0 @ 0.125 in (epoxy, family data) UL 94 V-0 @ 0.125 in
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status for BD249C-S specifically] —
Polarity — NPN
Continuous Collector Current — 25 A
Peak Collector Current — 40 A
Power Dissipation (at 25 C case) — 125 W
Complementary PNP Part — BD250 series
ESD Rating - Machine Model — > 400 V (Class C)
ESD Rating - Human Body Model — > 8000 V (Class 3B)
Lead-Free (Pb-Free) Package — Available
Operating Case Temperature — [DATA_NEEDED: operating case temperature range]

Fiches techniques et ressources

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