BD249C-S vs BD249C 비교

다음의 상세 나란히 비교: BD249C-S 제조: Bourns 및 BD249C 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BD249C-S BD249C
브랜드 Bourns onsemi
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.10 $1.82
트랜지스터 유형 NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) Single Bipolar (BJT)
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 100 V 100 V
Collector-Base Voltage (VCB) 100 V —
Emitter-Base Voltage (VEB) 5 V —
Collector Current (Continuous) 25 A —
Collector Current (Peak) 40 A —
Total Power Dissipation (TC = 25 C) 125 W —
Power Derating 1.0 W/C above 25 C case temperature —
전이 주파수 (ft) 3 MHz 3 MHz
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range and test conditions] [DATA_NEEDED: hFE range]
패키지 SOT-93 (TO-218), 3 pins, through hole SOT-93 (through hole)
실장 유형 Through Hole Through Hole
핀 수 3 —
Series Grade BD249C (C grade, highest VCEO in BD249 series) —
Complementary Device BD250 series (PNP) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: storage/operating junction temperature range] —
ESD Rating (HBM) Class 3B, > 8000 V (per onsemi BD249C family data) —
Flammability Rating UL 94 V-0 @ 0.125 in (epoxy, family data) UL 94 V-0 @ 0.125 in
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status for BD249C-S specifically] —
Polarity — NPN
Continuous Collector Current — 25 A
Peak Collector Current — 40 A
Power Dissipation (at 25 C case) — 125 W
Complementary PNP Part — BD250 series
ESD Rating - Machine Model — > 400 V (Class C)
ESD Rating - Human Body Model — > 8000 V (Class 3B)
Lead-Free (Pb-Free) Package — Available
Operating Case Temperature — [DATA_NEEDED: operating case temperature range]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청