BSC010NE2LSIATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC010NE2LSIATMA1 par Infineon et BSZ011NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC010NE2LSIATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Series / Family OptiMOS 25V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 5 (Trench)
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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