BSC010NE2LSIATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon e BSZ011NE2LS5IATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC010NE2LSIATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies —
Series / Family OptiMOS 25V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS 5 (Trench)
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C
Contagem de pinos 8 —
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação