BSC014N04LSATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSATMA1 par Infineon et BSC018N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSATMA1 BSC018N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 3
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55°C to +150°C (TJ)
Boîtier SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) MOSFET (Metal Oxide)
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Niveau MSL 1 (unlimited) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 30 A
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 125 W
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C — 2.5 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 1.8 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
JEDEC Qualification — Yes (qualified per JEDEC for target applications)

Fiches techniques et ressources

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