BSC014N04LSATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon e BSC018N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 - 40V 1.8mΩ N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC018N04LSGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014N04LSATMA1 BSC018N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 3
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55°C to +150°C (TJ)
Encapsulamento SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) MOSFET (Metal Oxide)
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Nível MSL 1 (unlimited) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 30 A
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 125 W
Power Dissipation (PD) @ TA=25°C — 2.5 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 1.8 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
JEDEC Qualification — Yes (qualified per JEDEC for target applications)

Fichas técnicas e recursos

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