BSC014N04LSATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC014N04LSATMA1 от Infineon и BSC018N04LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC014N04LSATMA1 | BSC018N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,74 | $0,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55°C to +150°C (TJ) |
| Корпус | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | — | 125 W |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | — | 2.5 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| JEDEC Qualification | — | Yes (qualified per JEDEC for target applications) |