BSC019N04LSTATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N04LSTATMA1 par Infineon et BSC074N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC019N04LSTATMA1 | BSC074N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,21 | $1,45 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 161 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.9 mOhm | 7.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Total Gate Charge Qg typ | 85 nC | — |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | 94 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | [DATA_NEEDED: TJ min/max] |
| Boîtier | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 114 A |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 214 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Body Diode | — | Integrated |