BSC019N04LSTATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC019N04LSTATMA1 제조: Infineon 및 BSC074N15NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC019N04LSTATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.21 $1.45
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm 7.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
패키지 TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Body Diode — Integrated

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