BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N10NS5ATMA1 par Infineon et BSC042NE7NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | NRND | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,10 | $1,24 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | OptiMOS 3 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | — |
| Boîtier | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +150C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |