BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N10NS5ATMA1 от Infineon и BSC042NE7NS3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N10NS5ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,10 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 3
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
Корпус PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену