BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC027N10NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC042NE7NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC027N10NS5ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 NRND 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.10 $1.24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 3
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
패키지 PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W

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