BSC034N06NSATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC034N06NSATMA1 par Infineon et BSC0911NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC034N06NSATMA1 BSC0911NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,46
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 30 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS trench MOSFET
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Fiches techniques et ressources

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