BSC034N06NSATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC034N06NSATMA1 por Infineon e BSC0911NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC034N06NSATMA1 BSC0911NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,46
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 30 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS trench MOSFET
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Fichas técnicas e recursos

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